Vishay N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-GE3

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N° de stock RS:
787-9229
Référence fabricant:
SI2328DS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.15 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1.45 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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