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Vishay Single N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9229
Référence fabricant:: SI2328DS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Single N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 787-9229
Référence fabricant:: SI2328DS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Transistor Configuration	Single
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	1.15 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	100 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	SOT-23
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	1.2 V
	Height	1.02 mm
	Length	3.04 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	2.4 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	1.25 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.45 nC
	Width	1.4 mm

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Transistor Configuration Single
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 1.15 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 100 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type SOT-23
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) 1.2 V
	Height 1.02 mm
	Length 3.04 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 2.4 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 1.25 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.45 nC
	Width 1.4 mm

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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