Vishay Si2318CDS Type N-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

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919-4205
Référence fabricant:
SI2318CDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-23

Series

Si2318CDS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

51mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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