onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 6.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SSOT FDC655BN
- N° de stock RS:
- 761-4426
- Référence fabricant:
- FDC655BN
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 761-4426
- Référence fabricant:
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- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SSOT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SSOT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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