Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET Transistor, 35 A, 30 V, 3-Pin TO-220 IPP096N03L G

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N° de stock RS:
754-5493
Référence fabricant:
IPP096N03L G
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

14.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

15.95mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.36mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

7.4 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.57mm

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