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Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 120 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB036N12N3GATMA1

N° de stock RS:: 754-5428
Référence fabricant:: IPB036N12N3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 120 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB036N12N3GATMA1

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N° de stock RS:: 754-5428
Référence fabricant:: IPB036N12N3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	120V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	158nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.57mm
	Length	10.31mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 120V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 158nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.57mm
	Length 10.31mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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