Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180N04S4H0ATMA1

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N° de stock RS:
218-3036
Référence fabricant:
IPB180N04S4H0ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel automotive MOSFET. It has TO263-7-3 package type.

175°C operating temperature

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

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