Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP373NH6327XTSA1
- N° de stock RS:
- 752-8224
- Référence fabricant:
- BSP373NH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
3,14 €
(TVA exclue)
3,80 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 3 535 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,628 € | 3,14 € |
| 50 - 120 | 0,568 € | 2,84 € |
| 125 - 245 | 0,528 € | 2,64 € |
| 250 - 495 | 0,49 € | 2,45 € |
| 500 + | 0,458 € | 2,29 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 752-8224
- Référence fabricant:
- BSP373NH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | SIPMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 300mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.5 mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-45-302 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series SIPMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.5 mm | ||
Length 6.5mm | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-45-302 | ||
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Liens connexes
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin SOT-223 BSP373NH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 200 V, 3-Pin SOT-223 BSP297H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 400 V, 3-Pin SOT-223 BSP324H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin SOT-223 BSP125H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 240 V, 3-Pin SOT-223 BSP89H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 240 V, 3-Pin SOT-223 BSP88H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP318SH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP317PH6327XTSA1
