Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 170 mA, 400 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP324H6327XTSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

27,05 €

(TVA exclue)

32,75 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 4 600 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 +0,541 €27,05 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
826-9257
Référence fabricant:
BSP324H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

170mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Package Type

SOT-223

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

25Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.54nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.5mm

Height

1.6mm

Standards/Approvals

No

Width

3.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-44-416

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes