Vishay Type N-Channel MOSFET, 4.8 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7898DP-T1-E3

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180-7862
Référence fabricant:
SI7898DP-T1-E3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.085Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 150V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 85mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 5W and continuous drain current of 4.8A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• New low thermal resistance PowerPAK package with small size and low 1.07mm profile

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• PWM optimised

• TrenchFET power MOSFET for fast switching

Applications


• DC/DC power supply primary side switches

• Industrial motor drives

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

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