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Vishay Si4116DY Type N-Channel MOSFET, 12.7 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4116DY-T1-GE3

N° de stock RS:: 710-3317
Référence fabricant:: SI4116DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si4116DY Type N-Channel MOSFET, 12.7 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4116DY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 710-3317
Référence fabricant:: SI4116DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Series	Si4116DY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.55mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Series Si4116DY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.55mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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