Vishay Si4116DY N-Channel MOSFET, 12.7 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4116DY-T1-GE3

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710-3317
Référence fabricant:
SI4116DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

12.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

Si4116DY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-12V, +12V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Width

4mm

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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