Vishay Si2328DS Type N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 710-3266P
- Référence fabricant:
- SI2328DS-T1-E3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total 100 unités (conditionné en bande continue)*
72,50 €
(TVA exclue)
87,70 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 760 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 240 | 0,725 € |
| 250 - 490 | 0,67 € |
| 500 - 990 | 0,574 € |
| 1000 + | 0,498 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 710-3266P
- Référence fabricant:
- SI2328DS-T1-E3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | Si2328DS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 730mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series Si2328DS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 730mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Si2328DS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-E3
- Vishay Si2328DS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Single Type N 1.15 A 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-GE3
- Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TN2404K Type N 200 mA 3-Pin SOT-23 TN2404K-T1-E3
- Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3
- Vishay TP0610K Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23