Vishay N-Channel MOSFET Transistor, 900 mA, 90 V, 3-Pin TO-205AD 2N6661-E3
- N° de stock RS:
- 708-2841
- Référence fabricant:
- 2N6661-E3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 900 mA | |
| Maximum Drain Source Voltage | 90 V | |
| Package Type | TO-205AD | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V | |
| Maximum Power Dissipation | 6.25 W | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 8.15mm | |
| Length | 9.4mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Height | 6.6mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 900 mA | ||
Maximum Drain Source Voltage 90 V | ||
Package Type TO-205AD | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 4 Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 0.8V | ||
Maximum Power Dissipation 6.25 W | ||
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 8.15mm | ||
Length 9.4mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Height 6.6mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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