Vishay Dual N/P-Channel-Channel MOSFET Transistor, 5.4 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7501DN-T1-E3

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N° de stock RS:
699-7345
Référence fabricant:
SI7501DN-T1-E3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

5.4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK 1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ, 51 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.6 W

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, -20 V, +20 V, +25 V

Length

3.05mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.5 nC @ 10 V, 9 nC @ 10 V

Width

3.05mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

2

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.04mm

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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