Vishay Dual N Channel Mosfet TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 13.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

8,53 €

(TVA exclue)

10,32 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En voie de retrait du marché
  • 15 885 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,706 €8,53 €
50 - 1201,622 €8,11 €
125 - 2451,366 €6,83 €
250 - 4951,282 €6,41 €
500 +1,192 €5,96 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
228-2827
Référence fabricant:
Si7252ADP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

100V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Mosfet

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

PWM optimized

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes