Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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688-6850
Référence fabricant:
IRF3710ZPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

82nC

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

8.77mm

Length

10.54mm

Width

4.69 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon


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