Références fabricant

onsemi NDS352AP Type P-Channel MOSFET, 900 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS352AP

N° de stock RS:: 671-1084
Référence fabricant:: NDS352AP
Fabricant:: onsemi

onsemi NDS352AP Type P-Channel MOSFET, 900 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS352AP

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

8,62 €

(TVA exclue)

10,43 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

10 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 3 330 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 septembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	0,862 €	8,62 €
100 - 240	0,744 €	7,44 €
250 - 490	0,644 €	6,44 €
500 - 990	0,568 €	5,68 €
1000 +	0,515 €	5,15 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 671-1084
Référence fabricant:: NDS352AP
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	900mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Series	NDS352AP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	500mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.92mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.4mm
	Height	0.94mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 900mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Series NDS352AP
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.92mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.4mm
	Height 0.94mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.