onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 900 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV305N
- N° de stock RS:
- 671-0797
- Référence fabricant:
- FDV305N
- Fabricant:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 671-0797
- Référence fabricant:
- FDV305N
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 900mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 220mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.75V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.92mm | |
| Height | 0.93mm | |
| Width | 1.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 900mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 220mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Forward Voltage Vf 0.75V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.92mm | ||
Height 0.93mm | ||
Width 1.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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