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onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD13N10TM

N° de stock RS:: 671-0961
Référence fabricant:: FQD13N10TM
Fabricant:: onsemi

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD13N10TM

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50 - 95	0,526 €	2,63 €
100 - 495	0,456 €	2,28 €
500 - 995	0,40 €	2,00 €
1000 +	0,364 €	1,82 €

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N° de stock RS:: 671-0961
Référence fabricant:: FQD13N10TM
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	QFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.3mm
	Length	6.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series QFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.3mm
	Length 6.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.1mm
	Automotive Standard No

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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