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onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6690A

N° de stock RS:: 671-0624
Référence fabricant:: FDS6690A
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6690A

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N° de stock RS:: 671-0624
Référence fabricant:: FDS6690A
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	4mm
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 4mm
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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