Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:
543-1645
Référence fabricant:
IRF510SPBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IRF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

540mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.3nC

Forward Voltage Vf

2.5V

Maximum Power Dissipation Pd

3.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.67mm

Width

4.83 mm

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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