Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 209 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP2907PBF
- N° de stock RS:
- 543-1500
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-348
- Référence fabricant:
- IRFP2907PBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
6,31 €
(TVA exclue)
7,64 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
- Plus 70 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 septembre 2026
- Plus 1 753 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,31 € |
| 10 - 24 | 5,99 € |
| 25 - 49 | 5,75 € |
| 50 - 99 | 5,48 € |
| 100 + | 5,09 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 543-1500
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-348
- Référence fabricant:
- IRFP2907PBF
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 209A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 410nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 470W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.3mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 20.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 209A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 410nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 470W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.3mm | ||
Length 15.9mm | ||
Height 20.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP7718PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-247
- Infineon Single HEXFET 1 Type N 355 A 3-Pin TO-247 IRFP7718PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-247 IRFP4127PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF2807ZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
