Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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542-9462
Référence fabricant:
IRF9610PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-5.8V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Ease of paralleling

Simple drive requirements

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