Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 3.3 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF610PBF

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178-0853
Référence fabricant:
IRF610PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Forward Voltage Vf

2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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