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Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 543-0018
Référence fabricant:: IRF9510PBF
Fabricant:: Vishay

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:: 543-0018
Référence fabricant:: IRF9510PBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-220
	Series	IRF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	43W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-5.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.01mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.7 mm
	Length	10.41mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-220
	Series IRF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 43W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -5.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.01mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.7 mm
	Length 10.41mm
	Automotive Standard No

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The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Simple drive requirements

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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