Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9510PBF

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178-0852
Référence fabricant:
IRF9510PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-5.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Simple drive requirements

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