Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

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N° de stock RS:
541-2464
Référence fabricant:
IRF640SPBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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