Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 178.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 281-6040
- Référence fabricant:
- SISS66DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 281-6040
- Référence fabricant:
- SISS66DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 178.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SIS | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00138Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 178.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SIS | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00138Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-channel MOSFET with schottky diode has applications in synchronous rectification, synchronous buck converter, and DC/DC conversions.
TrenchFET Generation IV power MOSFET
SKYFET with monolithic schottky diode
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