Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 178.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3

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281-6040
Référence fabricant:
SISS66DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

178.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIS

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00138Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N-channel MOSFET with schottky diode has applications in synchronous rectification, synchronous buck converter, and DC/DC conversions.

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