Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 178.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 281-6040
- Référence fabricant:
- SISS66DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
14,65 €
(TVA exclue)
17,73 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,465 € | 14,65 € |
| 100 - 240 | 1,15 € | 11,50 € |
| 250 - 490 | 1,052 € | 10,52 € |
| 500 - 990 | 0,967 € | 9,67 € |
| 1000 + | 0,824 € | 8,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 281-6040
- Référence fabricant:
- SISS66DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 178.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SIS | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00138Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 178.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SIS | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00138Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-channel MOSFET with schottky diode has applications in synchronous rectification, synchronous buck converter, and DC/DC conversions.
TrenchFET Generation IV power MOSFET
SKYFET with monolithic schottky diode
Liens connexes
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS66DN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS588DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5112DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5108DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS4402DN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3