Vishay SIZF4800LDT 2 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 80 V Enhancement, 12-Pin 3 x 3FS SIZF4800LDT-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 280-0006
- Référence fabricant:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,128 € | 8,51 € |
| 60 - 96 | 1,595 € | 6,38 € |
| 100 - 236 | 1,425 € | 5,70 € |
| 240 - 996 | 1,393 € | 5,57 € |
| 1000 + | 1,368 € | 5,47 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 280-0006
- Référence fabricant:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | 3 x 3FS | |
| Series | SIZF4800LDT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 80 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type 3 x 3FS | ||
Series SIZF4800LDT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 80 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a Dual N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Symmetric dual n-channel
Fully lead (Pb)-free device
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