Vishay SiSS32ADN Type N-Channel MOSFET, 63 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS32ADN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

6,91 €

(TVA exclue)

8,36 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 11 840 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,691 €6,91 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
210-5014
Référence fabricant:
SiSS32ADN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS32ADN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

0.83mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type with 63 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes