Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS52DN-T1-UE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

5,88 €

(TVA exclue)

7,115 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,176 €5,88 €
50 - 951,064 €5,32 €
100 - 2450,948 €4,74 €
250 - 9950,934 €4,67 €
1000 +0,912 €4,56 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
279-9999
Référence fabricant:
SISS52DN-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

162A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SISS

Package Type

1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0012Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Liens connexes