Vishay SISH Type P-Channel MOSFET, 54 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH103DN-T1-GE3

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Référence fabricant:
SISH103DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

1212-8

Series

SISH

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0089Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72nC

Maximum Power Dissipation Pd

41.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

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