Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR638ADP-T1-UE3
- N° de stock RS:
- 279-9958
- Référence fabricant:
- SIR638ADP-T1-UE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 4 unités)*
13,852 €
(TVA exclue)
16,76 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 5 992 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 3,463 € | 13,85 € |
| 60 - 96 | 3,40 € | 13,60 € |
| 100 - 236 | 3,343 € | 13,37 € |
| 240 - 996 | 3,27 € | 13,08 € |
| 1000 + | 3,208 € | 12,83 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9958
- Référence fabricant:
- SIR638ADP-T1-UE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiR | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00088Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 165nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiR | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00088Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 165nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR638ADP-T1-UE3
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR638ADP
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR532DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5404DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5205DP-T1-UE3