Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET, -4.2 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

6,31 €

(TVA exclue)

7,64 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En voie de retrait du marché
  • 2 490 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 400,631 €6,31 €
50 - 900,619 €6,19 €
100 - 2400,578 €5,78 €
250 - 9900,533 €5,33 €
1000 +0,524 €5,24 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7551
Référence fabricant:
SPD04P10PLGBTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SPD04P10PL G

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

850mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.94V

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

40mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It is a qualified according to AEC Q101.

Logic level

RoHS compliant

Enhancement mode

Pb free lead plating

Liens connexes