Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- N° de stock RS:
- 273-3006
- Référence fabricant:
- IPD25DP06NMATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,739 € | 7,39 € |
| 50 - 90 | 0,625 € | 6,25 € |
| 100 - 240 | 0,58 € | 5,80 € |
| 250 - 990 | 0,566 € | 5,66 € |
| 1000 + | 0,555 € | 5,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3006
- Référence fabricant:
- IPD25DP06NMATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 28W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 28W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suit
Easy interface to MCU
Improved efficiency at low loads due to low Qg
Fast switching