Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET, -18.6 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- N° de stock RS:
- 273-2832
- Référence fabricant:
- SPD18P06PGBTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
6,06 €
(TVA exclue)
7,335 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,212 € | 6,06 € |
| 50 - 95 | 1,082 € | 5,41 € |
| 100 - 245 | 0,84 € | 4,20 € |
| 250 + | 0,824 € | 4,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2832
- Référence fabricant:
- SPD18P06PGBTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -18.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | SPD18P06P G | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.33V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 40mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -18.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series SPD18P06P G | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.33V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | ||
Height 1.5mm | ||
Length 40mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET is a P channel, enhancement mode MOSFET. It has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET is qualified according to AEC Q101 standard.
RoHS compliant
Avalanche rated
Pb free lead plating
Liens connexes
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD40DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD25DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3