Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- N° de stock RS:
- 273-3008
- Référence fabricant:
- IPD40DP06NMATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
7,53 €
(TVA exclue)
9,11 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 2 420 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,753 € | 7,53 € |
| 50 - 90 | 0,637 € | 6,37 € |
| 100 - 240 | 0,592 € | 5,92 € |
| 250 - 990 | 0,578 € | 5,78 € |
| 1000 + | 0,566 € | 5,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3008
- Référence fabricant:
- IPD40DP06NMATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 400mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suit
Easy interface to MCU
Improved efficiency at low loads due to low Qg
Fast switching