Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP65R190CFD7AAKSA1

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273-3021
Référence fabricant:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO220-3

Series

IPP65R190CFD7A

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

77W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AECQ101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 650V cool MOS N channel automotive SJ power MOSFET. It has highest reliability in the field meeting automotive lifetime requirements.

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