Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP039N10N5AKSA1

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273-3017
Référence fabricant:
IPP039N10N5AKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOSa5

Package Type

PG-TO220-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET in a TO-220 package ideal for high frequency switching and synchronous rectification applications.

Highest system efficiency

Reduced switching and conduction losses

Less paralleling required

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