Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

5,07 €

(TVA exclue)

6,135 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 360 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,014 €5,07 €
50 - 950,778 €3,89 €
100 - 2450,72 €3,60 €
250 - 9950,71 €3,55 €
1000 +0,698 €3,49 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-3004
Référence fabricant:
IPD079N06L3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.48mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.731 mm

Height

6.223mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

Liens connexes