Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S412ATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

3,11 €

(TVA exclue)

3,764 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 304 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 181,555 €3,11 €
20 - 481,36 €2,72 €
50 - 981,275 €2,55 €
100 - 1981,185 €2,37 €
200 +1,105 €2,21 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-3849
Référence fabricant:
IPD60N10S412ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is P-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Liens connexes