Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S405ATMA2
- N° de stock RS:
- 249-6913
- Référence fabricant:
- IPD90N06S405ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
4,20 €
(TVA exclue)
5,08 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 7 484 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,10 € | 4,20 € |
| 20 - 48 | 1,72 € | 3,44 € |
| 50 - 98 | 1,62 € | 3,24 € |
| 100 - 198 | 1,51 € | 3,02 € |
| 200 + | 1,385 € | 2,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-6913
- Référence fabricant:
- IPD90N06S405ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
Liens connexes
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD048N06L3GATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S406ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252