Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD048N06L3GATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 130,00 €

(TVA exclue)

1 367,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,452 €1 130,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-3001
Référence fabricant:
IPD048N06L3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.223mm

Length

10.48mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.731 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

Liens connexes