Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,21 €

(TVA exclue)

7,515 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 045 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,242 €6,21 €
50 - 950,954 €4,77 €
100 - 2450,89 €4,45 €
250 - 9950,87 €4,35 €
1000 +0,852 €4,26 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-3002
Référence fabricant:
IPD048N06L3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.731 mm

Length

10.48mm

Height

6.223mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

Liens connexes