Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 273-3002
- Référence fabricant:
- IPD048N06L3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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| 50 - 95 | 2,216 € | 11,08 € |
| 100 - 245 | 2,062 € | 10,31 € |
| 250 - 995 | 2,018 € | 10,09 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3002
- Référence fabricant:
- IPD048N06L3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.731mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 6.223mm | |
| Length | 10.48mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.731mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 6.223mm | ||
Length 10.48mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
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