Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1

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229-1837
Référence fabricant:
IPD90N04S4L04ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel normal level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.

It is RoHS compliant and AEC qualified

It has 175°C operating temperature

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