Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1

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229-1837
Référence fabricant:
IPD90N04S4L04ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Height

2.3mm

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel normal level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.

It is RoHS compliant and AEC qualified

It has 175°C operating temperature

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