Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 15 unités)*

5,355 €

(TVA exclue)

6,48 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 14 370 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
15 - 600,357 €5,36 €
75 - 1350,347 €5,21 €
150 - 3600,337 €5,06 €
375 - 7350,329 €4,94 €
750 +0,321 €4,82 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
229-1837
Référence fabricant:
IPD90N04S4L04ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel normal level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.

It is RoHS compliant and AEC qualified

It has 175°C operating temperature

Liens connexes