Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R660CFDAATMA1
- N° de stock RS:
- 273-3000
- Référence fabricant:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3000
- Référence fabricant:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.66Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.66Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 650V cool MOS CFDA super junction MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage cool MOS power MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the auto
Reduced EMI appearance and easy to design in
Better light load efficiency
Lower switching losses
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