Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 882,00 €

(TVA exclue)

2 277,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,882 €1 882,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
223-8512
Référence fabricant:
IPB100N06S2L05ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in D2-PAK package. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.

Automotive AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green package

•Ultra low Rds

•100% Avalanche tested

Liens connexes