Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R660CFDAATMA1

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273-2999
Référence fabricant:
IPB65R660CFDAATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.66Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

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