Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R660CFDAATMA1
- N° de stock RS:
- 273-2999
- Référence fabricant:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
775,00 €
(TVA exclue)
938,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,775 € | 775,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2999
- Référence fabricant:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.66Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.66Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 650V cool MOS CFDA super junction MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage cool MOS power MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the auto
Reduced EMI appearance and easy to design in
Better light load efficiency
Lower switching losses
Liens connexes
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB17N25S3100ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2L09ATMA2