Infineon IST N-Channel Power Transistor, 399 A, 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST011N06NM5AUMA1

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

4 010,00 €

(TVA exclue)

4 852,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +2,005 €4 010,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-2819
Référence fabricant:
IST011N06NM5AUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

399A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

sTOLL

Series

IST

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Power Dissipation Pd

313W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for low voltage motor drives application and for battery powered applications. This MOSFET is qualified according to JEDEC for industrial applications.

RoHS compliant

Pb free lead plating

100 percent avalanche tested

Enables automated optical solder inspection

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.