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Infineon IST N-Channel MOSFET, 475 A, 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST006N04NM6AUMA1

N° de stock RS:: 235-0605
Référence fabricant:: IST006N04NM6AUMA1
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

2 748,00 €

(TVA exclue)

3 326,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	1,374 €	2 748,00 €

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N° de stock RS:: 235-0605
Référence fabricant:: IST006N04NM6AUMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	475A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	HSOF
	Series	IST
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	178nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	7.2mm
	Length	6.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.4mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 475A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type HSOF
	Series IST
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 178nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 7.2mm
	Length 6.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IST006N04NM6AUMA1

The Infineon OptiMOSTM6 power transistor operated on 40V and drain current of 475A. It is in Stoll package features very low RDS(on) of 0.60mOhm. It has the advantages of Infineon’s well known quality level for robust industry packages making it the Ideal solution for various performance in battery powered applications, battery protection and battery formation.

Optimized for low voltage motor drives application

Optimized for battery power applications

Very low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Superior thermal performance

N-channel

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