Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 214 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 716,00 €

(TVA exclue)

2 076,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 08 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,572 €1 716,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
268-8369
Référence fabricant:
SQS140ELNW-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

214A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SQS

Package Type

PowerPAK 1212-8SLW

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0043Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57nC

Maximum Power Dissipation Pd

197W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device with single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature. It has wettable flank terminals.

Low thermal resistance

AEC Q101 qualified

ROHS compliant

Liens connexes